Silicon nanocrystals as light sources: stable, efficient and fast photoluminescence with suitable passivation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00389613" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00389613 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046750" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046750</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2012.046750" target="_blank" >10.1504/IJNT.2012.046750</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Silicon nanocrystals as light sources: stable, efficient and fast photoluminescence with suitable passivation

Popis výsledku v původním jazyce

In this contribution, we present a study of silicon nanocrystals as light sources. We compare the photoluminescence properties of silicon nanocrystals with three different types of surface passivation (hydrogen, silicon oxide and methyl-based capping), which has substantial impact. We show that with sufficiently small sizes and suitable surface passivation, the photoluminescence properties of silicon nanocrystals can reach a level comparable with direct-bandgap semiconductor nanocrystals (radiative lifetime of 10 ns, stable macroscopic quantum yield of 20%). Apart from studying photoluminescence properties on a macroscopic level, we also carried out microscopical room-temperature single-nanocrystal photoluminescence spectroscopy experiments.

Název v anglickém jazyce

Silicon nanocrystals as light sources: stable, efficient and fast photoluminescence with suitable passivation

Popis výsledku anglicky

In this contribution, we present a study of silicon nanocrystals as light sources. We compare the photoluminescence properties of silicon nanocrystals with three different types of surface passivation (hydrogen, silicon oxide and methyl-based capping), which has substantial impact. We show that with sufficiently small sizes and suitable surface passivation, the photoluminescence properties of silicon nanocrystals can reach a level comparable with direct-bandgap semiconductor nanocrystals (radiative lifetime of 10 ns, stable macroscopic quantum yield of 20%). Apart from studying photoluminescence properties on a macroscopic level, we also carried out microscopical room-temperature single-nanocrystal photoluminescence spectroscopy experiments.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

International Journal of Nanotechnology

ISSN

1475-7435

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

8/9

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

15

Strana od-do

717-731

Kód UT WoS článku

000303800500005

EID výsledku v databázi Scopus

—