Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A new view of microcrystalline silicon: The role of plasma processing in achieving a dense and stable absorber material for photovoltaic applicationsv

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390706" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390706 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201200299" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201200299</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201200299" target="_blank" >10.1002/adfm.201200299</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A new view of microcrystalline silicon: The role of plasma processing in achieving a dense and stable absorber material for photovoltaic applicationsv

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A qualitative model that explains how plasma processes act on the properties of ? c-Si:H and on the related solar cell performance is presented, evidencing the growth of two different material phases. The first phase, which gives signature for bulk defect density, can be obtained at high quality over a wide range of plasma process parameters and dominates cell performance on fl atsubstrates. The second phase, which consists of nanoporous 2D regions, typically appears when the material is grown on substrates with inappropriate roughness, and alters or even dominates the electrical performance of the device.

  • Název v anglickém jazyce

    A new view of microcrystalline silicon: The role of plasma processing in achieving a dense and stable absorber material for photovoltaic applicationsv

  • Popis výsledku anglicky

    A qualitative model that explains how plasma processes act on the properties of ? c-Si:H and on the related solar cell performance is presented, evidencing the growth of two different material phases. The first phase, which gives signature for bulk defect density, can be obtained at high quality over a wide range of plasma process parameters and dominates cell performance on fl atsubstrates. The second phase, which consists of nanoporous 2D regions, typically appears when the material is grown on substrates with inappropriate roughness, and alters or even dominates the electrical performance of the device.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Advanced Functional Materials

  • ISSN

    1616-301X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    22

  • Číslo periodika v rámci svazku

    17

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    3665-3671

  • Kód UT WoS článku

    000308329800017

  • EID výsledku v databázi Scopus