Laser profiling of defects in BaWO4 crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390713" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390713 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0957-0233/23/8/087001" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0957-0233/23/8/087001</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0957-0233/23/8/087001" target="_blank" >10.1088/0957-0233/23/8/087001</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Laser profiling of defects in BaWO4 crystals
Popis výsledku v původním jazyce
Optical inhomogeneities due to fluctuations in the index of refraction and scattering centres in four BaWO4 single crystals were measured by detecting the scattered light perpendicular to the incident laser beam. The depth profiling was achieved by moving the crystal along the laser beam and collecting the scattered light through a partly closed aperture. We have observed the region of the highest scattering from the beginning of the crystal to a depth of approximately 1 cm corresponding to the early stages of the crystal growth. Deeper inside in the crystal the concentration of the inhomogeneities is constant. The scattering in this region of relatively low defect density varies by less than one order of magnitude depending on crystal quality.
Název v anglickém jazyce
Laser profiling of defects in BaWO4 crystals
Popis výsledku anglicky
Optical inhomogeneities due to fluctuations in the index of refraction and scattering centres in four BaWO4 single crystals were measured by detecting the scattered light perpendicular to the incident laser beam. The depth profiling was achieved by moving the crystal along the laser beam and collecting the scattered light through a partly closed aperture. We have observed the region of the highest scattering from the beginning of the crystal to a depth of approximately 1 cm corresponding to the early stages of the crystal growth. Deeper inside in the crystal the concentration of the inhomogeneities is constant. The scattering in this region of relatively low defect density varies by less than one order of magnitude depending on crystal quality.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Measurement Science and Technology
ISSN
0957-0233
e-ISSN
—
Svazek periodika
23
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Kód UT WoS článku
000306366600061
EID výsledku v databázi Scopus
—