Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100)

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390822" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390822 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/12:10130561
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.081403" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.081403</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.081403" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.85.081403</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100)
Popis výsledku v původním jazyce
The adsorption and dynamics of single indium atoms on a Si(100) surface were studied by means of scanning tunneling microscopy in a temperature range from 30 to 130 K. Single In adatoms are strongly influenced by a tip-surface interaction which is proportional to the tunneling current.
Název v anglickém jazyce
Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100)
Popis výsledku anglicky
The adsorption and dynamics of single indium atoms on a Si(100) surface were studied by means of scanning tunneling microscopy in a temperature range from 30 to 130 K. Single In adatoms are strongly influenced by a tip-surface interaction which is proportional to the tunneling current.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)