Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00395942" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00395942 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985882:_____/12:00395942

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3678195" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3678195</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3678195" target="_blank" >10.1063/1.3678195</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present a detailed study of the below band-gap optical absorption at room temperature in bulk semi-insulating GaN:Fe versus the Fe-doping. It was established that the 1.24 eV photoluminescence band at 300?K consists of only vibrational replicas of theFe3+ 4T1(G) 6A1(S) internal transition. We also studied the below band-gap photoluminescence excitation of the 1.24?eV band. The identical exponential rise of the photoluminescence excitation and the optical absorption coefficient identify the Fe3+/2+ charge-transfer as the main contributor to the 300?K optical absorption in the range 400-500?nm. Practical implications of these results for Fe-doping determination are discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe

  • Popis výsledku anglicky

    We present a detailed study of the below band-gap optical absorption at room temperature in bulk semi-insulating GaN:Fe versus the Fe-doping. It was established that the 1.24 eV photoluminescence band at 300?K consists of only vibrational replicas of theFe3+ 4T1(G) 6A1(S) internal transition. We also studied the below band-gap photoluminescence excitation of the 1.24?eV band. The identical exponential rise of the photoluminescence excitation and the optical absorption coefficient identify the Fe3+/2+ charge-transfer as the main contributor to the 300?K optical absorption in the range 400-500?nm. Practical implications of these results for Fe-doping determination are discussed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Physics Letters

  • ISSN

    0003-6951

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    100

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    "031908-1"-"031908-3"

  • Kód UT WoS článku

    000299386800022

  • EID výsledku v databázi Scopus