Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00393323" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00393323 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/13:00393323 RIV/67985556:_____/13:00393323
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.11.019" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.11.019</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.11.019" target="_blank" >10.1016/j.physe.2012.11.019</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state
Popis výsledku v původním jazyce
Density of states are studied by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy on self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure prepared by metal-organic vapor phase epitaxy. For two lowest observed energy levels of quantum dot the density of states are mapped and correlated with the shape of quantum dot. Relation between inhomogeneous stress distribution in non symetrical quantum dots and the lowest energy level splitting was found.
Název v anglickém jazyce
Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state
Popis výsledku anglicky
Density of states are studied by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy on self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure prepared by metal-organic vapor phase epitaxy. For two lowest observed energy levels of quantum dot the density of states are mapped and correlated with the shape of quantum dot. Relation between inhomogeneous stress distribution in non symetrical quantum dots and the lowest energy level splitting was found.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
ISSN
1386-9477
e-ISSN
—
Svazek periodika
48
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
61-65
Kód UT WoS článku
000331131900010
EID výsledku v databázi Scopus
—