Photoluminescence and excited state structure in Bi3+-doped Y2SiO5 single crystalline films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00396533" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00396533 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2013.04.001" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2013.04.001</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2013.04.001" target="_blank" >10.1016/j.radmeas.2013.04.001</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photoluminescence and excited state structure in Bi3+-doped Y2SiO5 single crystalline films

Popis výsledku v původním jazyce

Single crystallinefilms of Bi-doped Y2SiO5 are studied at 4.2-350 K by the time-resolved luminescence methods under excitation in the 3.8-6.2 eV energy range. Ultraviolet luminescence of Y2SiO5:Bi (3.6 eV) is shown to arise from the radiative decay of the metastable and radiative minima of the triplet relaxed excited state (RES) of Bi3+ centers which are related to the 3P0 and 3P1 levels of a free Bi3+ ion, respectively. The lowest-energy excitation band of this emission, located at 4.5 eV, is assignedto the 1S0 3P1 transitions of a free Bi3+ ion. The phenomenological model is proposed to describe the excitedstate dynamics of Bi3+ centers in Y2SiO5:Bi, and parameters of the triplet RES are determined.

Název v anglickém jazyce

Photoluminescence and excited state structure in Bi3+-doped Y2SiO5 single crystalline films

Popis výsledku anglicky

Single crystallinefilms of Bi-doped Y2SiO5 are studied at 4.2-350 K by the time-resolved luminescence methods under excitation in the 3.8-6.2 eV energy range. Ultraviolet luminescence of Y2SiO5:Bi (3.6 eV) is shown to arise from the radiative decay of the metastable and radiative minima of the triplet relaxed excited state (RES) of Bi3+ centers which are related to the 3P0 and 3P1 levels of a free Bi3+ ion, respectively. The lowest-energy excitation band of this emission, located at 4.5 eV, is assignedto the 1S0 3P1 transitions of a free Bi3+ ion. The phenomenological model is proposed to describe the excitedstate dynamics of Bi3+ centers in Y2SiO5:Bi, and parameters of the triplet RES are determined.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP204%2F12%2F0805" target="_blank" >GAP204/12/0805: Pokročilá materiálová řešení pro tenkovrstvé scintilátory a transformátory světla</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radiation Measurements

ISSN

1350-4487

e-ISSN

—

Svazek periodika

56

Číslo periodika v rámci svazku

Sept

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

90-93

Kód UT WoS článku

000325671400021

EID výsledku v databázi Scopus

—