Epitaxy-distorted spin-orbit Mott insulator in Sr2IrO4 thin films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00397437" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00397437 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/13:10133656
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085121" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085121</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085121" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.87.085121</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Epitaxy-distorted spin-orbit Mott insulator in Sr2IrO4 thin films
Popis výsledku v původním jazyce
The work opens the route for exploiting epitaxial strain as a promising tool for both structural and functional manipulation of spin-orbit Mott systems Sr2IrO4.
Název v anglickém jazyce
Epitaxy-distorted spin-orbit Mott insulator in Sr2IrO4 thin films
Popis výsledku anglicky
The work opens the route for exploiting epitaxial strain as a promising tool for both structural and functional manipulation of spin-orbit Mott systems Sr2IrO4.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GPP204%2F11%2FP339" target="_blank" >GPP204/11/P339: Exchange bias řízený elektrickým polem v antiferomagnetických polovodičích za pokojové teploty</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku