Terahertz and direct current losses and the origin of non-Drude terahertz conductivity in the crystalline states of phase change materials
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00423596" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00423596 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216275:25310/13:39896956
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4847395" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4847395</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4847395" target="_blank" >10.1063/1.4847395</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Terahertz and direct current losses and the origin of non-Drude terahertz conductivity in the crystalline states of phase change materials
Popis výsledku v původním jazyce
THz and DC losses in crystalline states of GeSbTe and AgInSbTe phase-change material systems are re-examined and discussed. Although a simple free carrier transport has been assumed so far in the GeSbTe (GST) system, it is shown through recent experimental results that a series sequence of intragrain and intergrain (tunneling) transport, as recently formulated in Shimakawa, "The origin of non-Drude terahertz conductivity in nanomaterials," Appl. Phys. Lett. 100, 132102 (2012) may dominate the electronictransport in the commercially utilized GST system, producing a non-Drude THz conductivity.
Název v anglickém jazyce
Terahertz and direct current losses and the origin of non-Drude terahertz conductivity in the crystalline states of phase change materials
Popis výsledku anglicky
THz and DC losses in crystalline states of GeSbTe and AgInSbTe phase-change material systems are re-examined and discussed. Although a simple free carrier transport has been assumed so far in the GeSbTe (GST) system, it is shown through recent experimental results that a series sequence of intragrain and intergrain (tunneling) transport, as recently formulated in Shimakawa, "The origin of non-Drude terahertz conductivity in nanomaterials," Appl. Phys. Lett. 100, 132102 (2012) may dominate the electronictransport in the commercially utilized GST system, producing a non-Drude THz conductivity.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
114
Číslo periodika v rámci svazku
23
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
"233105-1"-"233105-7"
Kód UT WoS článku
000329056800005
EID výsledku v databázi Scopus
—