4H-SiC and novel SI GaAs-based M-S-M radiation hard photodetectors applicable in UV, EUV and soft X-ray detection: Design, technology and performance testing

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00425745" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00425745 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2021729" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2021729</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2021729" target="_blank" >10.1117/12.2021729</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

4H-SiC and novel SI GaAs-based M-S-M radiation hard photodetectors applicable in UV, EUV and soft X-ray detection: Design, technology and performance testing

Popis výsledku v původním jazyce

We report on development of 4H-SiC and semi-insulating (SI) GaAs large area surface barrier detectors. Electrical characteristics of the diodes, photocurrent measurements and pulse height spectra of gamma and low energy X-rays are presented. Novel (low work-function) contacts to GaAs are discussed and improvement of 4H-SiC detector resistance to gamma radiation and neutron fluency is demonstrated.

Název v anglickém jazyce

4H-SiC and novel SI GaAs-based M-S-M radiation hard photodetectors applicable in UV, EUV and soft X-ray detection: Design, technology and performance testing

Popis výsledku anglicky

We report on development of 4H-SiC and semi-insulating (SI) GaAs large area surface barrier detectors. Electrical characteristics of the diodes, photocurrent measurements and pulse height spectra of gamma and low energy X-rays are presented. Novel (low work-function) contacts to GaAs are discussed and improvement of 4H-SiC detector resistance to gamma radiation and neutron fluency is demonstrated.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Damage to VUV, EUV, and X-ray Optics IV; and EUV and X-ray Optics: Synergy between Laboratory and Space III

ISBN

9780819495792

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

15. 4. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000329577700043