Initial and secondary oxidation products on the Si(111)-(7x7) surface identified by atomic force microscopy and first principles calculations

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432274" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432274 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4870629" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4870629</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4870629" target="_blank" >10.1063/1.4870629</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Initial and secondary oxidation products on the Si(111)-(7x7) surface identified by atomic force microscopy and first principles calculations

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated the initial and secondary oxidation products on the Si(111)-(7x7) surface at room temperature using atomic force microscopy (AFM), scanning tunneling microscopy (STM), and density functional theory calculations. We found the atomic structure of these products. The initial and secondary oxidation products appear as bright and dark sites, respectively, STM. It was shown that the topographic information given by AFM was close to the real atomic corrugation of the oxygen-containing structures on the semiconductor surfaces.

Název v anglickém jazyce

Initial and secondary oxidation products on the Si(111)-(7x7) surface identified by atomic force microscopy and first principles calculations

Popis výsledku anglicky

We investigated the initial and secondary oxidation products on the Si(111)-(7x7) surface at room temperature using atomic force microscopy (AFM), scanning tunneling microscopy (STM), and density functional theory calculations. We found the atomic structure of these products. The initial and secondary oxidation products appear as bright and dark sites, respectively, STM. It was shown that the topographic information given by AFM was close to the real atomic corrugation of the oxygen-containing structures on the semiconductor surfaces.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA14-02079S" target="_blank" >GA14-02079S: Kontrola jednoelektronových nábojových stavů v molekulách na površích</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

104

Číslo periodika v rámci svazku

13

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"133107-1"-"133107-4"

Kód UT WoS článku

000334408500058

EID výsledku v databázi Scopus

—