Electron and hole traps in X-ray irradiated Y2SiO5 and Lu2SiO5 crystals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432352" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432352 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201350028" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201350028</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201350028" target="_blank" >10.1002/pssb.201350028</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electron and hole traps in X-ray irradiated Y2SiO5 and Lu2SiO5 crystals
Popis výsledku v původním jazyce
Characteristics of thermally stimulated luminescence (TSL) are studied for the X-ray irradiated at 4, 80, or 295K nominally undoped Y2SiO5 and Lu2SiO5 single crystals of different origin, containing traps for holes (Ce3+, Tb3+ ions) and electrons (Eu3+,Mo6+ ions), as well as for the Sm3+ -doped Lu2SiO5 crystal.
Název v anglickém jazyce
Electron and hole traps in X-ray irradiated Y2SiO5 and Lu2SiO5 crystals
Popis výsledku anglicky
Characteristics of thermally stimulated luminescence (TSL) are studied for the X-ray irradiated at 4, 80, or 295K nominally undoped Y2SiO5 and Lu2SiO5 single crystals of different origin, containing traps for holes (Ce3+, Tb3+ ions) and electrons (Eu3+,Mo6+ ions), as well as for the Sm3+ -doped Lu2SiO5 crystal.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GAP204%2F12%2F0805" target="_blank" >GAP204/12/0805: Pokročilá materiálová řešení pro tenkovrstvé scintilátory a transformátory světla</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)