Electron and hole traps in yttrium orthosilicate single crystals: the critical role of Si-unbound oxygen

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432629" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432629 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.064104" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.064104</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.064104" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.90.064104</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron and hole traps in yttrium orthosilicate single crystals: the critical role of Si-unbound oxygen

Popis výsledku v původním jazyce

We studied the processes of hole and electron trapping in yttrium orthosilicate Y2SiO5 single crystals using continuous wave and pulse electron spin resonance methods. We show that holes created by x-ray irradiation at low temperatures (T <80 K) are preferably self-trapped at Si-unbound oxygen ions in the form of O- centers. Under irradiation at higher temperatures (200?290 K), the holes are trapped at the Si-unbound oxygen ions in the vicinity of perturbing defects such as yttrium vacancies and impurity ions forming a variety of O- centers with thermal stability up to room and higher temperatures. We have also found that under x-ray irradiation at T < 60 K, electrons are preferably trapped in the vicinity of Si-unbound oxygen ion vacancies and partlytrapped also at Mo impurity ions in the form of F+-type and Mo5+ centers, respectively.

Název v anglickém jazyce

Electron and hole traps in yttrium orthosilicate single crystals: the critical role of Si-unbound oxygen

Popis výsledku anglicky

We studied the processes of hole and electron trapping in yttrium orthosilicate Y2SiO5 single crystals using continuous wave and pulse electron spin resonance methods. We show that holes created by x-ray irradiation at low temperatures (T <80 K) are preferably self-trapped at Si-unbound oxygen ions in the form of O- centers. Under irradiation at higher temperatures (200?290 K), the holes are trapped at the Si-unbound oxygen ions in the vicinity of perturbing defects such as yttrium vacancies and impurity ions forming a variety of O- centers with thermal stability up to room and higher temperatures. We have also found that under x-ray irradiation at T < 60 K, electrons are preferably trapped in the vicinity of Si-unbound oxygen ion vacancies and partlytrapped also at Mo impurity ions in the form of F+-type and Mo5+ centers, respectively.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review. B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

90

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

"064104-1"-"064104-12"

Kód UT WoS článku

000339994200003

EID výsledku v databázi Scopus

—