Performance of Ce-doped (La, Gd)2Si2O7 scintillator with an avalanche photodiode

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00435924" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00435924 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2014.01.018" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2014.01.018</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2014.01.018" target="_blank" >10.1016/j.nima.2014.01.018</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Performance of Ce-doped (La, Gd)2Si2O7 scintillator with an avalanche photodiode
Popis výsledku v původním jazyce
Scintillation properties of Ce-doped (La, Gd)2Si2O7 (Ce:La-GPS) crystal were measured with Si avalanche photodiode. This crystal grown by floating zone method had a good light output of 41,0001000 photons/MeV and FWHM energy resolution at 662 keV was 4.40.1% at 23.00.2 °C.
Název v anglickém jazyce
Performance of Ce-doped (La, Gd)2Si2O7 scintillator with an avalanche photodiode
Popis výsledku anglicky
Scintillation properties of Ce-doped (La, Gd)2Si2O7 (Ce:La-GPS) crystal were measured with Si avalanche photodiode. This crystal grown by floating zone method had a good light output of 41,0001000 photons/MeV and FWHM energy resolution at 662 keV was 4.40.1% at 23.00.2 °C.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)