Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00436880" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00436880 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with electrical characterization of nanocrystalline diamond / ptype crystalline silicon heterostructures. The diamond films were prepared with and without nitrogen addition into CH4/CO2/H2 gas mixture during the deposition. The introducednitrogen promoted amorphization instead of creating sp2 domains. The structure with nitrogen exhibits shallow donor state with energy of 0.28 eV. It is suggested that origin of such a state is related to nitrogen atoms trapped at the vacancies.
Název v anglickém jazyce
Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture
Popis výsledku anglicky
The paper deals with electrical characterization of nanocrystalline diamond / ptype crystalline silicon heterostructures. The diamond films were prepared with and without nitrogen addition into CH4/CO2/H2 gas mixture during the deposition. The introducednitrogen promoted amorphization instead of creating sp2 domains. The structure with nitrogen exhibits shallow donor state with energy of 0.28 eV. It is suggested that origin of such a state is related to nitrogen atoms trapped at the vacancies.

Projekt
<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-4799-5474-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
37-40
Název nakladatele
Slovak University of Technology
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
20. 10. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)