Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Planar defects and dislocations in C40 and FCC lattices

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00486449" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00486449 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.67" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.67</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.67" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.592-593.67</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Planar defects and dislocations in C40 and FCC lattices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Atomic planes at three different positions ABC form the stacking along the < 111 > directions in the FCC lattice and similarly along the < 0001 > hexagonal axis in the C40 structure in transition metal silicides. However, the structures of suicides are constituted of several stacking of identical atomic planes at four different positions: AB in C11(b) structures of e.g. MoSi2, ABC in C40 structures of e.g. VSi2 and ABDC in C54 structures of e.g. TiSi2 disilicides. The occurrence of the fourth position essentially influences the properties of defects and consequently the mechanical properties of C40 materials.n

  • Název v anglickém jazyce

    Planar defects and dislocations in C40 and FCC lattices

  • Popis výsledku anglicky

    Atomic planes at three different positions ABC form the stacking along the < 111 > directions in the FCC lattice and similarly along the < 0001 > hexagonal axis in the C40 structure in transition metal silicides. However, the structures of suicides are constituted of several stacking of identical atomic planes at four different positions: AB in C11(b) structures of e.g. MoSi2, ABC in C40 structures of e.g. VSi2 and ABDC in C54 structures of e.g. TiSi2 disilicides. The occurrence of the fourth position essentially influences the properties of defects and consequently the mechanical properties of C40 materials.n

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    MATERIALS STRUCTURE & MICROMECHANICS OF FRACTURE VII

  • ISBN

    978-3-03785-934-6

  • ISSN

    1013-9826

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    67-70

  • Název nakladatele

    Trans Tech Publications

  • Místo vydání

    Zurich

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    1. 7. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000336694400011