Four-state ferroelectric spin-valve
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00451357" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00451357 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep09749" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1038/srep09749</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep09749" target="_blank" >10.1038/srep09749</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Four-state ferroelectric spin-valve
Popis výsledku v původním jazyce
Spin-valves had empowered the giant magnetoresistance (GMR) devices to have memory. The insertion of thin antiferromagnetic (AFM) films allowed two stable magnetic field-induced switchable resistance states persisting in remanence. In this letter, we show that, without the deliberate introduction of such an AFM layer, this functionality is transferred to multiferroic tunnel junctions (MFTJ) allowing us to create a four-state resistive memory device. We observed that the ferroelectric/ferromagnetic interface plays a crucial role in the stabilization of the exchange bias, which ultimately leads to four robust electro tunnel electro resistance (TER) and tunnel magneto resistance (TMR) states in the junction.
Název v anglickém jazyce
Four-state ferroelectric spin-valve
Popis výsledku anglicky
Spin-valves had empowered the giant magnetoresistance (GMR) devices to have memory. The insertion of thin antiferromagnetic (AFM) films allowed two stable magnetic field-induced switchable resistance states persisting in remanence. In this letter, we show that, without the deliberate introduction of such an AFM layer, this functionality is transferred to multiferroic tunnel junctions (MFTJ) allowing us to create a four-state resistive memory device. We observed that the ferroelectric/ferromagnetic interface plays a crucial role in the stabilization of the exchange bias, which ultimately leads to four robust electro tunnel electro resistance (TER) and tunnel magneto resistance (TMR) states in the junction.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BE - Teoretická fyzika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Scientific Reports
ISSN
2045-2322
e-ISSN
—
Svazek periodika
5
Číslo periodika v rámci svazku
May
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000354269600001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84929192084