Photoluminescence in an electric field of InAs/GaAs QDs covered by GaAsSb strain reducing layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00455015" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00455015 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photoluminescence in an electric field of InAs/GaAs QDs covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku v původním jazyce

We research the impact of this electric field, its orientation and intensity on QDs with GaAsSb strain reducing layer due to the suitability of this type of structure for application in laser (type I) as well as detector (type II) structures. We focus onthe transition between the type I and the type II structure. The type of heterostructure is influenced by the structure composition and may be changed by an electric field. Negative electric field supports the heterostructure to remain type I, positiveelectric field supports the heterostructure to become type II.

Název v anglickém jazyce

Photoluminescence in an electric field of InAs/GaAs QDs covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku anglicky

We research the impact of this electric field, its orientation and intensity on QDs with GaAsSb strain reducing layer due to the suitability of this type of structure for application in laser (type I) as well as detector (type II) structures. We focus onthe transition between the type I and the type II structure. The type of heterostructure is influenced by the structure composition and may be changed by an electric field. Negative electric field supports the heterostructure to remain type I, positiveelectric field supports the heterostructure to become type II.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů