Thin film polycrystalline Si solar cells studied in transient regime by optical pump-terahertz probe spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00455242" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00455242 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4937388" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4937388</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4937388" target="_blank" >10.1063/1.4937388</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thin film polycrystalline Si solar cells studied in transient regime by optical pump-terahertz probe spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

We used time-resolved terahertz spectroscopy to study ultrafast photoconductivity of polycrystalline thin-film silicon solar cells. We selected a series of samples, which exhibited variable conversion efficiencies due to hydrogen plasma passivation undervarious technological conditions. The decay of the transient terahertz conductivity shows two components: the fast one is related to the charge recombination at interfaces, while the slow nanosecond one is attributed to the trapping of photocarriers bydefects localized at grain boundaries or at dislocations in the polycrystalline p- layer of the structure. We observed a clear correlation between the open-circuit voltage and the nanosecond-scale decay time of the transient terahertz conductivity of thesolar cells. Thus, the terahertz spectroscopy appears to be a useful contactless tool for inspecting the local photoconductivity of solar cells including, in particular, various nanostructured schemes.

Název v anglickém jazyce

Thin film polycrystalline Si solar cells studied in transient regime by optical pump-terahertz probe spectroscopy

Popis výsledku anglicky

We used time-resolved terahertz spectroscopy to study ultrafast photoconductivity of polycrystalline thin-film silicon solar cells. We selected a series of samples, which exhibited variable conversion efficiencies due to hydrogen plasma passivation undervarious technological conditions. The decay of the transient terahertz conductivity shows two components: the fast one is related to the charge recombination at interfaces, while the slow nanosecond one is attributed to the trapping of photocarriers bydefects localized at grain boundaries or at dislocations in the polycrystalline p- layer of the structure. We observed a clear correlation between the open-circuit voltage and the nanosecond-scale decay time of the transient terahertz conductivity of thesolar cells. Thus, the terahertz spectroscopy appears to be a useful contactless tool for inspecting the local photoconductivity of solar cells including, in particular, various nanostructured schemes.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-12386S" target="_blank" >GA13-12386S: Fotovodivost a dynamika excitací v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičích na ultrarychlé časové škále</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

107

Číslo periodika v rámci svazku

23

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"233901-1"-"233901-5"

Kód UT WoS článku

000367010800068

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84949199135