Electronic and chemical properties of donor, acceptor centers in graphene

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456407" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456407 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.5b03690" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.5b03690</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.5b03690" target="_blank" >10.1021/acsnano.5b03690</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic and chemical properties of donor, acceptor centers in graphene

Popis výsledku v původním jazyce

Chemical doping is one of the most suitable ways of tuning the electronic properties of graphene and a promising candidate for a band gap opening. In this work we report a reliable and tunable method for preparation of high-quality boron and nitrogen co-doped graphene on silicon carbide substrate. We combine experimental (dAFM, STM, XPS, NEXAFS) and theoretical (total energy DFT and simulated STM) studies to analyze the structural, chemical, and electronic properties of the single-atom substitutional dopants in graphene. We show that chemical identification of boron and nitrogen substitutional defects can be achieved in the STM channel due to the quantum interference effect, arising due to the specific electronic structure of nitrogen dopant sites. Chemical reactivity of single boron and nitrogen dopants is analyzed using force?distance spectroscopy by means of dAFM.

Název v anglickém jazyce

Electronic and chemical properties of donor, acceptor centers in graphene

Popis výsledku anglicky

Chemical doping is one of the most suitable ways of tuning the electronic properties of graphene and a promising candidate for a band gap opening. In this work we report a reliable and tunable method for preparation of high-quality boron and nitrogen co-doped graphene on silicon carbide substrate. We combine experimental (dAFM, STM, XPS, NEXAFS) and theoretical (total energy DFT and simulated STM) studies to analyze the structural, chemical, and electronic properties of the single-atom substitutional dopants in graphene. We show that chemical identification of boron and nitrogen substitutional defects can be achieved in the STM channel due to the quantum interference effect, arising due to the specific electronic structure of nitrogen dopant sites. Chemical reactivity of single boron and nitrogen dopants is analyzed using force?distance spectroscopy by means of dAFM.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ACS Nano

ISSN

1936-0851

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

9180-9187

Kód UT WoS článku

000361935800056

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84942288107