Interrelationship between structural, optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00458861" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00458861 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49777513:23640/16:43928717

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.08.015" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.08.015</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.08.015" target="_blank" >10.1016/j.mssp.2015.08.015</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Interrelationship between structural, optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach

Popis výsledku v původním jazyce

Effect of Bi concentrations on the electronic structure, optical and thermoelectric properties was studied, using the density functional theory. The PDOS of the InP compound elucidates that the valence bands are mainly comprised of P-p states, while the conduction band is mainly formed by foremost In-s and P-p with small contribution of P-s state while in InP/InB alloys the Bi-p stated strongly contribute in valance bands along with P-p states.

Název v anglickém jazyce

Interrelationship between structural, optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach

Popis výsledku anglicky

Effect of Bi concentrations on the electronic structure, optical and thermoelectric properties was studied, using the density functional theory. The PDOS of the InP compound elucidates that the valence bands are mainly comprised of P-p states, while the conduction band is mainly formed by foremost In-s and P-p with small contribution of P-s state while in InP/InB alloys the Bi-p stated strongly contribute in valance bands along with P-p states.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN

1369-8001

e-ISSN

—

Svazek periodika

41

Číslo periodika v rámci svazku

Jan

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

45-53

Kód UT WoS článku

000365189500008

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84940188737