Preparation of Zn(Cd)O:Ga-SiO2 composite scintillating materials

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00469598" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00469598 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/16:00469598 RIV/68407700:21340/16:00308411

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2015.12.040" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2015.12.040</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.radmeas.2015.12.040" target="_blank" >10.1016/j.radmeas.2015.12.040</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of Zn(Cd)O:Ga-SiO2 composite scintillating materials

Popis výsledku v původním jazyce

Composite material consisting of highly luminescent Zn(Cd)O:Ga powder embedded in the silica matrix was prepared. It was found out that ZnO:Ga with less developed crystals (i.e. annealed at lower temperatures) is more prone to interact with the SiO2 matrix and form zinc silicates, which in turn resulted in the decrease in the excitonic emission. Pre-annealing of the powders at temperatures above 600 degrees C prevented the interaction with the SiO2 matrix. ZnO:Ga with well-developed crystals at such a high temperatures was not affected by the matrix and retained its properties, i.e. high radioluminescence intensity and ultrafast sub nanosecond photoluminescence decay. Introducing Cd into the ZnO lattice caused observable red shift in the excitonic luminescence, without negatively affecting the total intensity or the decay

Název v anglickém jazyce

Preparation of Zn(Cd)O:Ga-SiO2 composite scintillating materials

Popis výsledku anglicky

Composite material consisting of highly luminescent Zn(Cd)O:Ga powder embedded in the silica matrix was prepared. It was found out that ZnO:Ga with less developed crystals (i.e. annealed at lower temperatures) is more prone to interact with the SiO2 matrix and form zinc silicates, which in turn resulted in the decrease in the excitonic emission. Pre-annealing of the powders at temperatures above 600 degrees C prevented the interaction with the SiO2 matrix. ZnO:Ga with well-developed crystals at such a high temperatures was not affected by the matrix and retained its properties, i.e. high radioluminescence intensity and ultrafast sub nanosecond photoluminescence decay. Introducing Cd into the ZnO lattice caused observable red shift in the excitonic luminescence, without negatively affecting the total intensity or the decay

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-09876S" target="_blank" >GA13-09876S: Anorganické nanoscintilátory: netradiční syntéza a rozměrově závislé charakteristiky.</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radiation Measurements

ISSN

1350-4487

e-ISSN

—

Svazek periodika

90

Číslo periodika v rámci svazku

July

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

59-63

Kód UT WoS článku

000378470500014

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84953438641