Charge-state dynamics in electrostatic force spectroscopy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00470931" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00470931 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/27/27/274005" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/27/27/274005</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/27/27/274005" target="_blank" >10.1088/0957-4484/27/27/274005</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Charge-state dynamics in electrostatic force spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
We present a numerical model that allows us to study the response of an oscillating probe in electrostatic force spectroscopy to charge switching in quantum dots at various time scales. The model provides more insight into the behavior of frequency shift and dissipated energy under different scanning conditions when measuring a temporarily charged quantum dot on a surface. Namely, we analyze the dependence of the frequency shift, the dissipated energy, and their fluctuations on the resonance frequency of the tip and on the electron tunneling rates across the tip-quantum dot and quantum dot-sample junctions. We discuss two complementary approaches to simulating the charge dynamics, a stochastic and a deterministic one. In addition, we derive analytic formulas valid for small amplitudes, describing relations between the frequency shift, dissipated energy, and the characteristic rates driving the charging and discharging processes.
Název v anglickém jazyce
Charge-state dynamics in electrostatic force spectroscopy
Popis výsledku anglicky
We present a numerical model that allows us to study the response of an oscillating probe in electrostatic force spectroscopy to charge switching in quantum dots at various time scales. The model provides more insight into the behavior of frequency shift and dissipated energy under different scanning conditions when measuring a temporarily charged quantum dot on a surface. Namely, we analyze the dependence of the frequency shift, the dissipated energy, and their fluctuations on the resonance frequency of the tip and on the electron tunneling rates across the tip-quantum dot and quantum dot-sample junctions. We discuss two complementary approaches to simulating the charge dynamics, a stochastic and a deterministic one. In addition, we derive analytic formulas valid for small amplitudes, describing relations between the frequency shift, dissipated energy, and the characteristic rates driving the charging and discharging processes.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA14-02079S" target="_blank" >GA14-02079S: Kontrola jednoelektronových nábojových stavů v molekulách na površích</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanotechnology
ISSN
0957-4484
e-ISSN
—
Svazek periodika
27
Číslo periodika v rámci svazku
27
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000377493700005
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84975037766