GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00471302" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00471302 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ
Popis výsledku v původním jazyce
We give an overview on how we combine optical in situ RAS during industrially scalable growth processes by MOVPE with electron-based in vacuo surface science analytics in order to study the GaP/Si(001) heterointerface formation and its atomic structure.
Název v anglickém jazyce
GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ
Popis výsledku anglicky
We give an overview on how we combine optical in situ RAS during industrially scalable growth processes by MOVPE with electron-based in vacuo surface science analytics in order to study the GaP/Si(001) heterointerface formation and its atomic structure.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů