Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Computer simulations of X-ray six-beam diffraction in a perfect silicon crystal. I

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00488135" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00488135 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1107/S2053273316001959" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1107/S2053273316001959</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1107/S2053273316001959" target="_blank" >10.1107/S2053273316001959</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Computer simulations of X-ray six-beam diffraction in a perfect silicon crystal. I

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper reports computer simulations of the transmitted-beam intensity distribution for the case of six-beam (000, 220, 242, 044,224,202) diffraction of X-rays in a perfect silicon crystal of thickness 1 mm. Both the plane-wave angular dependence and the six-beam section topographs, which are usually obtained in experiments with a restricted beam (two-dimensional slit), are calculated. The angular dependence is calculated in accordance with Ewald's theory. The section topographs are calculated from the angular dependence by means of the fast Fourier transformation procedure. This approach allows one to consider, for the first time, the transformation of the topograph's structure due to the two-dimensional slit sizes and the distance between the slit and the detector. The results are in good agreement with the results of other works and with the experimental data.

  • Název v anglickém jazyce

    Computer simulations of X-ray six-beam diffraction in a perfect silicon crystal. I

  • Popis výsledku anglicky

    This paper reports computer simulations of the transmitted-beam intensity distribution for the case of six-beam (000, 220, 242, 044,224,202) diffraction of X-rays in a perfect silicon crystal of thickness 1 mm. Both the plane-wave angular dependence and the six-beam section topographs, which are usually obtained in experiments with a restricted beam (two-dimensional slit), are calculated. The angular dependence is calculated in accordance with Ewald's theory. The section topographs are calculated from the angular dependence by means of the fast Fourier transformation procedure. This approach allows one to consider, for the first time, the transformation of the topograph's structure due to the two-dimensional slit sizes and the distance between the slit and the detector. The results are in good agreement with the results of other works and with the experimental data.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Acta Crystallographica A-Foundation and Advances

  • ISSN

    2053-2733

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    72

  • Číslo periodika v rámci svazku

    May

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    349-356

  • Kód UT WoS článku

    000375147400009

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84965057155