Influence of model parameters on a simulation of x-ray irradiated materials: example of XTANT code
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00487422" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00487422 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2266953" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2266953</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2266953" target="_blank" >10.1117/12.2266953</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of model parameters on a simulation of x-ray irradiated materials: example of XTANT code
Popis výsledku v původním jazyce
An analysis of influence of model parameters on the results of simulations of material properties under free-electron laser irradiation is presented. It is based on the in-house hybrid code XTANT (X-ray-induced Thermal And Nonthermal Transition) by N. Medvedev et al., Phys. Rev. B 91 (2015) 054113. It combines tight binding molecular dynamics for atoms with Monte Carlo treatment of high-energy electrons and core-holes, and Boltzmann collision integrals for nonadiabatic (electron-phonon) coupling. Different parameterizations of transferable tight binding method for silicon are analyzed.n
Název v anglickém jazyce
Influence of model parameters on a simulation of x-ray irradiated materials: example of XTANT code
Popis výsledku anglicky
An analysis of influence of model parameters on the results of simulations of material properties under free-electron laser irradiation is presented. It is based on the in-house hybrid code XTANT (X-ray-induced Thermal And Nonthermal Transition) by N. Medvedev et al., Phys. Rev. B 91 (2015) 054113. It combines tight binding molecular dynamics for atoms with Monte Carlo treatment of high-energy electrons and core-holes, and Boltzmann collision integrals for nonadiabatic (electron-phonon) coupling. Different parameterizations of transferable tight binding method for silicon are analyzed.n
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LG15013" target="_blank" >LG15013: Výzkum v rámci Mezinárodního centra hustého magnetizovaného plazmatu</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Damage to VUV, EUV, and X-Ray Optics VI
ISBN
978-1-5106-0974-7
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
—
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Bellingham
Místo konání akce
Prague
Datum konání akce
24. 4. 2017
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000406964100006