Crystal growth and temperature dependence of light output of Ce-doped (Gd, La, Y)2Si2O2 single crystals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00499575" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00499575 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.01.016" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.01.016</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.01.016" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2018.01.016</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Crystal growth and temperature dependence of light output of Ce-doped (Gd, La, Y)2Si2O2 single crystals
Popis výsledku v původním jazyce
The results showed that a 5% Y-admixed Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator can yield higher light output when compared with Y-free Ce-doped Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator. The light outputs at 25C and 175C were determined to be 43,000 and 40,000 photons/MeV, respectively.
Název v anglickém jazyce
Crystal growth and temperature dependence of light output of Ce-doped (Gd, La, Y)2Si2O2 single crystals
Popis výsledku anglicky
The results showed that a 5% Y-admixed Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator can yield higher light output when compared with Y-free Ce-doped Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator. The light outputs at 25C and 175C were determined to be 43,000 and 40,000 photons/MeV, respectively.

Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)