Spin echo studies on Fe3+ ions in GaN: spin-phonon relaxation and ligand hyperfine interactions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00531899" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00531899 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989592:15310/20:73602056

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1063/5.0007477" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/5.0007477</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0007477" target="_blank" >10.1063/5.0007477</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Spin echo studies on Fe3+ ions in GaN: spin-phonon relaxation and ligand hyperfine interactions

Popis výsledku v původním jazyce

The electron spin echo detected inversion recovery technique at the Q-band frequency was used to characterize spin diffusion effects in spin-lattice relaxation of compensating Fe3+ impurities in n-type doped GaN crystals. It was found that the selective saturation can be achieved in the GaN:Fe3+ system due to magnetization transfer based on the spin flip-flop cross-relaxation processes. The temperature dependence of 1/T1 can be explained by direct spin-phonon processes (∼T) below 25 K and by Raman two-phonon processes (∼T9) at higher temperatures. Spin diffusion in this system is characterized by an additional cross-relaxation rate which is weakly temperature-dependent below 25 K.

Název v anglickém jazyce

Spin echo studies on Fe3+ ions in GaN: spin-phonon relaxation and ligand hyperfine interactions

Popis výsledku anglicky

The electron spin echo detected inversion recovery technique at the Q-band frequency was used to characterize spin diffusion effects in spin-lattice relaxation of compensating Fe3+ impurities in n-type doped GaN crystals. It was found that the selective saturation can be achieved in the GaN:Fe3+ system due to magnetization transfer based on the spin flip-flop cross-relaxation processes. The temperature dependence of 1/T1 can be explained by direct spin-phonon processes (∼T) below 25 K and by Raman two-phonon processes (∼T9) at higher temperatures. Spin diffusion in this system is characterized by an additional cross-relaxation rate which is weakly temperature-dependent below 25 K.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

117

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1-6

Kód UT WoS článku

000554944000002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85088872560