New perspectives for heavily boron-doped diamond Raman spectrum analysis
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00532981" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00532981 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/20:00341972 RIV/68407700:21460/20:00341972
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.06.075" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.06.075</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2020.06.075" target="_blank" >10.1016/j.carbon.2020.06.075</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
New perspectives for heavily boron-doped diamond Raman spectrum analysis
Popis výsledku v původním jazyce
Although Raman spectroscopy is a good tool for effective assessment of atomic boron concentration in diamond, determination of further physical properties using this non-destructive approach requires advancement in Raman analysis. In this work, we present an extended study of the Raman spectrum of boron-doped diamond, over a broad boron doping range and at increasing measurement temperature, based on the interaction between phonon and electronic Raman scattering effects. The presented analysis demonstrates the considerable contribution of electronic Raman scattering to the Raman spectrum and opens a practical route toward determination of additional boron-doped diamond properties, such as carrier concentration and carrier mobility.n
Název v anglickém jazyce
New perspectives for heavily boron-doped diamond Raman spectrum analysis
Popis výsledku anglicky
Although Raman spectroscopy is a good tool for effective assessment of atomic boron concentration in diamond, determination of further physical properties using this non-destructive approach requires advancement in Raman analysis. In this work, we present an extended study of the Raman spectrum of boron-doped diamond, over a broad boron doping range and at increasing measurement temperature, based on the interaction between phonon and electronic Raman scattering effects. The presented analysis demonstrates the considerable contribution of electronic Raman scattering to the Raman spectrum and opens a practical route toward determination of additional boron-doped diamond properties, such as carrier concentration and carrier mobility.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Carbon
ISSN
0008-6223
e-ISSN
—
Svazek periodika
168
Číslo periodika v rámci svazku
Oct
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
319-327
Kód UT WoS článku
000565896400003
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85088435586