Crystal growth and optical properties of Ce-doped (La,Y)2Si2O7 single crystal

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00545158" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00545158 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://hdl.handle.net/11104/0321949" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0321949</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126252" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2021.126252</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Crystal growth and optical properties of Ce-doped (La,Y)2Si2O7 single crystal

Popis výsledku v původním jazyce

We have grown Ce-doped (La,Y)2Si2O7 single crystal by micro-pulling-down method. The observed thermal quenching process could be characterized by the quenching temperature (T50%) of 526 K and its activation energy was determined to be 0.62 eV. It was found that the thermal quenching was caused by at least the thermal ionization and maybe also by classical thermal quenching. The light output and scintillation decay time were evaluated to be ~12,000 photons/MeV and ~42 ns, respectively.

Název v anglickém jazyce

Crystal growth and optical properties of Ce-doped (La,Y)2Si2O7 single crystal

Popis výsledku anglicky

We have grown Ce-doped (La,Y)2Si2O7 single crystal by micro-pulling-down method. The observed thermal quenching process could be characterized by the quenching temperature (T50%) of 526 K and its activation energy was determined to be 0.62 eV. It was found that the thermal quenching was caused by at least the thermal ionization and maybe also by classical thermal quenching. The light output and scintillation decay time were evaluated to be ~12,000 photons/MeV and ~42 ns, respectively.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

1873-5002

Svazek periodika

572

Číslo periodika v rámci svazku

Oct

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

126252

Kód UT WoS článku

000692137100015

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85111610762