Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Strain-induced switching between noncollinear and collinear spin configuration in magnetic Mn5Ge3 films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00547656" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00547656 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216208:11320/21:10430422

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.064416" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.064416</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.104.064416" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.104.064416</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Strain-induced switching between noncollinear and collinear spin configuration in magnetic Mn5Ge3 films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Ferromagnetic Mn5Ge3 films fabricated by epitaxial solid-state reaction on Ge substrates exhibit a TC of about 283 K [3], a considerable spin polarization [4,5], a sharp interface between the ferromagnetic layer and Ge substrates [6,7], all of which are essential to achieve efficient spin injection and manipulation within semiconductors prepared by already existing silicon-based technologies. Furthermore, the TC of Mn5Ge3 was shifted much above room temperature by applying strain engineering (∼320 K) [8], quantum confinement (∼400 K) [9], or codoping with carbon (∼430 K) [10,11].

  • Název v anglickém jazyce

    Strain-induced switching between noncollinear and collinear spin configuration in magnetic Mn5Ge3 films

  • Popis výsledku anglicky

    Ferromagnetic Mn5Ge3 films fabricated by epitaxial solid-state reaction on Ge substrates exhibit a TC of about 283 K [3], a considerable spin polarization [4,5], a sharp interface between the ferromagnetic layer and Ge substrates [6,7], all of which are essential to achieve efficient spin injection and manipulation within semiconductors prepared by already existing silicon-based technologies. Furthermore, the TC of Mn5Ge3 was shifted much above room temperature by applying strain engineering (∼320 K) [8], quantum confinement (∼400 K) [9], or codoping with carbon (∼430 K) [10,11].

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LM2018096" target="_blank" >LM2018096: Laboratoř pro syntézu a měření materiálů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B

  • ISSN

    2469-9950

  • e-ISSN

    2469-9969

  • Svazek periodika

    104

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    064416

  • Kód UT WoS článku

    000684127200005

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85113184980