Topological insulator Bi2Te3: The effect of doping with elements from the VIII B column of the periodic table

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00561071" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00561071 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216275:25310/22:39918798

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02724" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02724</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02724" target="_blank" >10.1021/acs.jpcc.2c02724</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Topological insulator Bi2Te3: The effect of doping with elements from the VIII B column of the periodic table

Popis výsledku v původním jazyce

We studied the doping of a Bi2Te3 single crystal using angle resolved photoemission and ab initio electronic structure calculations. We find that at the surface the typical bulk p-type conductivity is transformed to the n-type. The dopants from the VIII B column (Fe, Ru, and Os) give rise to the shift of the Dirac cone at the surface in the direction from the valence band maximum to the conductivity band minimum. The rearrangement of the Bi2Te3 surface electronic structure caused by doping is linked to the pinning of the Fermi level in the bulk gap and its comparison with experimental data indicates that the dopants substitute Bi atoms rather than they occupy interstitial positions.n

Název v anglickém jazyce

Topological insulator Bi2Te3: The effect of doping with elements from the VIII B column of the periodic table

Popis výsledku anglicky

We studied the doping of a Bi2Te3 single crystal using angle resolved photoemission and ab initio electronic structure calculations. We find that at the surface the typical bulk p-type conductivity is transformed to the n-type. The dopants from the VIII B column (Fe, Ru, and Os) give rise to the shift of the Dirac cone at the surface in the direction from the valence band maximum to the conductivity band minimum. The rearrangement of the Bi2Te3 surface electronic structure caused by doping is linked to the pinning of the Fermi level in the bulk gap and its comparison with experimental data indicates that the dopants substitute Bi atoms rather than they occupy interstitial positions.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physical Chemistry C

ISSN

1932-7447

e-ISSN

1932-7455

Svazek periodika

126

Číslo periodika v rámci svazku

34

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

14529-14536

Kód UT WoS článku

000849805900001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85137385546