Life on the Urbach Edge

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00566170" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00566170 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/22:00359245

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.2c01812" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.2c01812</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.2c01812" target="_blank" >10.1021/acs.jpclett.2c01812</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Life on the Urbach Edge

Popis výsledku v původním jazyce

The Urbach energy is an expression of the static and dynamic disorder in a semiconductor and is directly accessible via optical characterization techniques. The strength of this metric is that it elegantly captures the optoelectronic performance potential of a semiconductor in a single number. For solar cells, the Urbach energy is found to be predictive of a material’s minimal open-circuit-voltage deficit. Performance calculations considering the Urbach energy give more realistic power conversion efficiency limits than from classical Shockley−Queisser considerations. The Urbach energy is often also found to correlate well with the Stokes shift and (inversely) with the carrier mobility of a semiconductor. Here, we discuss key features, underlying physics, measurement techniques, and implications for device fabrication, underlining the utility of this metric.

Název v anglickém jazyce

Life on the Urbach Edge

Popis výsledku anglicky

The Urbach energy is an expression of the static and dynamic disorder in a semiconductor and is directly accessible via optical characterization techniques. The strength of this metric is that it elegantly captures the optoelectronic performance potential of a semiconductor in a single number. For solar cells, the Urbach energy is found to be predictive of a material’s minimal open-circuit-voltage deficit. Performance calculations considering the Urbach energy give more realistic power conversion efficiency limits than from classical Shockley−Queisser considerations. The Urbach energy is often also found to correlate well with the Stokes shift and (inversely) with the carrier mobility of a semiconductor. Here, we discuss key features, underlying physics, measurement techniques, and implications for device fabrication, underlining the utility of this metric.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physical Chemistry Letters

ISSN

1948-7185

e-ISSN

—

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

33

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

7702-7711

Kód UT WoS článku

000841490100001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85136718202