Band alignment at the strontium germanate interface with silicon
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00570898" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00570898 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/46747885:24220/23:00010906
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.115303" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.115303</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.107.115303" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.107.115303</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Band alignment at the strontium germanate interface with silicon
Popis výsledku v původním jazyce
Photocatalytic water splitting is a promising strategy for large-scale clean energy production. However, efficient and low-cost solid-state photocatalysts are still lacking. We present here first-principles calculations for investigating the suitability of an epitaxial layer of strontium germanate on a Si(100) single crystal as a photocathode. Conduction and valence band offsets at the interface between these two semiconductors were determined using state-of-the-art approximations of density functional theory for the accurate prediction of band alignments. The resulting band lineup is also confirmed by inspection of the spatially resolved density of states. It is concluded that the conduction band offset of the investigated heterostructure is favorable for photocathodic functionality.
Název v anglickém jazyce
Band alignment at the strontium germanate interface with silicon
Popis výsledku anglicky
Photocatalytic water splitting is a promising strategy for large-scale clean energy production. However, efficient and low-cost solid-state photocatalysts are still lacking. We present here first-principles calculations for investigating the suitability of an epitaxial layer of strontium germanate on a Si(100) single crystal as a photocathode. Conduction and valence band offsets at the interface between these two semiconductors were determined using state-of-the-art approximations of density functional theory for the accurate prediction of band alignments. The resulting band lineup is also confirmed by inspection of the spatially resolved density of states. It is concluded that the conduction band offset of the investigated heterostructure is favorable for photocathodic functionality.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GF21-20110K" target="_blank" >GF21-20110K: Heterostruktury s přechodem polovodič - dielektrikum pro fotoelektrolýzu vody</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B
ISSN
2469-9950
e-ISSN
2469-9969
Svazek periodika
107
Číslo periodika v rámci svazku
11
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
115303
Kód UT WoS článku
000962452700005
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85151279182