FW03010298-V24: GaN podkladové vrstvy na YAP, GaGG

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00585048" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00585048 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

FW03010298-V24: GaN podkladové vrstvy na YAP, GaGG

Popis výsledku v původním jazyce

Povrch funkčního vzorku připraveného na GaGG podložce je strukturovaný s mnoha semipolárními rovinami. Z porovnání fotoluminiscenčních spekter vzorku na GaGG a bufferové vrstvy na safíru je patrné, že se nám podařilo zvýšit poměr intenzity excitonového maxima ku intenzitě defektních pásů (modrý i žlutý defektní pás), podle zadání projektu. Zároveň se významně zvýšila celková intenzita luminiscence v porovnání s klasickou u GaN podkladovou vrstvou na safírovém substrátu.

Název v anglickém jazyce

FW03010298-V24: GaN buffer layers on YAP, GaGG

Popis výsledku anglicky

The surface of functional sample prepared on GaGG substrate is structured with many semipolar planes. According to the comparison of photoluminescence spectra, we have succeeded the PL intensity ratio of excitonic to defect band maximum, as promised in the project. Simultaneously, the integral intenzity of luminescence has been increased with respect to the standart uGaN buffer layers prepared on the sapphire substrate.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Průlomové optoelektronické materiály pro přístrojovou techniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

FW03010298-V24

Číselná identifikace

FW03010298-V24

Technické parametry

Strukturovaná GaN vrstva připravená epitaxně na substrátu GaGG

Ekonomické parametry

Výsledek je využíván příjemcem CRYTUR, s.r.o. (25296558), a spolupříjemci Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. (68378271), ekonomické parametry se neuvádí.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

68378271

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Crytur, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—