Theory for anisotropic local ferroelectric switching

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00605025" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00605025 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0362585" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0362585</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ad0595" target="_blank" >10.1088/1361-6528/ad0595</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Theory for anisotropic local ferroelectric switching

Popis výsledku v původním jazyce

Theoretical modeling of polarization switching around a biased tip contact is important for fundamental understanding and advanced applications of ferroelectrics. Here we propose a simple in-plane two-dimensional model that considers surface charge transport and the associated evolution of the electric field driving domain growth. The model reproduces peculiar domain shapes ranging from round to faceted in KTiOPO4 (C2v symmetry) and LiNbO3 (C3v symmetry). This is done through modulation of dielectric permittivity, which mimics domain wall pinning on the lattice. In contrast to previous works, which attempted to justify domain anisotropy by means of point symmetry invariants, here we illustrate the necessity of taking translational symmetry into account. The results are pertinent to ferroelectric racetrack memories and other applications requiring domain tailoring.

Název v anglickém jazyce

Theory for anisotropic local ferroelectric switching

Popis výsledku anglicky

Theoretical modeling of polarization switching around a biased tip contact is important for fundamental understanding and advanced applications of ferroelectrics. Here we propose a simple in-plane two-dimensional model that considers surface charge transport and the associated evolution of the electric field driving domain growth. The model reproduces peculiar domain shapes ranging from round to faceted in KTiOPO4 (C2v symmetry) and LiNbO3 (C3v symmetry). This is done through modulation of dielectric permittivity, which mimics domain wall pinning on the lattice. In contrast to previous works, which attempted to justify domain anisotropy by means of point symmetry invariants, here we illustrate the necessity of taking translational symmetry into account. The results are pertinent to ferroelectric racetrack memories and other applications requiring domain tailoring.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanotechnology

ISSN

0957-4484

e-ISSN

1361-6528

Svazek periodika

35

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

04LT01

Kód UT WoS článku

001099761600001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85176509575