Transport of Impurities in Multi-Layered a-Si/pc-Si Thin Films after Pulsed Laser Irradiation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21110%2F02%3A01073602" target="_blank" >RIV/68407700:21110/02:01073602 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Transport of Impurities in Multi-Layered a-Si/pc-Si Thin Films after Pulsed Laser Irradiation

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper, a model for calculating the redistribution of foreign atoms during the described process is formulated. From the mathematical point of view, the process can be generally classified as a four-phasae problem with three moving boundaries

Název v anglickém jazyce

Transport of Impurities in Multi-Layered a-Si/pc-Si Thin Films after Pulsed Laser Irradiation

Popis výsledku anglicky

In this paper, a model for calculating the redistribution of foreign atoms during the described process is formulated. From the mathematical point of view, the process can be generally classified as a four-phasae problem with three moving boundaries

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20370" target="_blank" >ME 370: Vliv koncentrace příměsí na laserovou krystalizaci amorfního křemíku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Workshop 2002

ISBN

80-01-02511-X

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

542-543

Název nakladatele

ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

11. 2. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—