Contact-less Measurement Method of Minor Carrier Lifetime in Si Monocrystal

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F25%3A00384772" target="_blank" >RIV/68407700:21220/25:00384772 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/25:00384772
Výsledek na webu
<a href="https://technology.fel.cvut.cz/en/isps/" target="_blank" >https://technology.fel.cvut.cz/en/isps/</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISPS65707.2025.11189963" target="_blank" >10.1109/ISPS65707.2025.11189963</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Contact-less Measurement Method of Minor Carrier Lifetime in Si Monocrystal
Popis výsledku v původním jazyce
Several methods for estimating carrier lifetime in silicon bulk or monocrystalline silicon have been known for more than seventy years. However, most of these methods rely on direct galvanic contact with the measured samples. This requirement assumes perfect sample preparation and can sometimes negatively affect the measurement itself. Surface properties and their treatment are crucial for accurate and reproducible results. This article proposes a new method in which direct contact between the measuring circuit and the sample is avoided.
Název v anglickém jazyce
Contact-less Measurement Method of Minor Carrier Lifetime in Si Monocrystal
Popis výsledku anglicky
Several methods for estimating carrier lifetime in silicon bulk or monocrystalline silicon have been known for more than seventy years. However, most of these methods rely on direct galvanic contact with the measured samples. This requirement assumes perfect sample preparation and can sometimes negatively affect the measurement itself. Surface properties and their treatment are crucial for accurate and reproducible results. This article proposes a new method in which direct contact between the measuring circuit and the sample is avoided.

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
ISPS'25 PROCEEDINGS
ISBN
979-8-3315-5732-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
180-187
Název nakladatele
Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering
Místo vydání
Prague
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
27. 8. 2025
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)