A New Degree of Freedom in Diode Optimization: Arbitrary Axial Lifetime Profiles by Means of Ion Irradiation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F00%3A03060927" target="_blank" >RIV/68407700:21230/00:03060927 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A New Degree of Freedom in Diode Optimization: Arbitrary Axial Lifetime Profiles by Means of Ion Irradiation
Popis výsledku v původním jazyce
Formation of arbitrary axial lifetime profile by means of single ion irradiation
Název v anglickém jazyce
A New Degree of Freedom in Diode Optimization: Arbitrary Axial Lifetime Profiles by Means of Ion Irradiation
Popis výsledku anglicky
Formation of arbitrary axial lifetime profile by means of single ion irradiation
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2000
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
ISBN
0-7803-6269-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
123-126
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Toulouse
Datum konání akce
22. 5. 2000
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—