Delta-InAs structures embedded in GaAs grown by MOVPE characterised by electroluminescence and photocurrent spectroscopy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F02%3A03074166" target="_blank" >RIV/68407700:21230/02:03074166 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Delta-InAs structures embedded in GaAs grown by MOVPE characterised by electroluminescence and photocurrent spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Not available
Název v anglickém jazyce
Delta-InAs structures embedded in GaAs grown by MOVPE characterised by electroluminescence and photocurrent spectroscopy
Popis výsledku anglicky
Not available
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IC MOVPE XI - 11th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
135-135
Název nakladatele
TU Berlin
Místo vydání
Berlin
Místo konání akce
Berlin
Datum konání akce
3. 6. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—