Transient Effects on High Voltage Diode Stack under Reverse Bias
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F02%3A03084382" target="_blank" >RIV/68407700:21230/02:03084382 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transient Effects on High Voltage Diode Stack under Reverse Bias
Popis výsledku v původním jazyce
The existence of the non-destructive breakdown was observed at some measurements of reverse current-voltage characteristics of individual diodes. However, the study of this phenomenon is very dificult for many in series connected diodes in stack.
Název v anglickém jazyce
Transient Effects on High Voltage Diode Stack under Reverse Bias
Popis výsledku anglicky
The existence of the non-destructive breakdown was observed at some measurements of reverse current-voltage characteristics of individual diodes. However, the study of this phenomenon is very dificult for many in series connected diodes in stack.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F01%2F1353" target="_blank" >GA102/01/1353: Elektromagnetická kompatibilita výkonových spínaných zdrojů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 6th International Seminar on Power Semiconductors
ISBN
80-01-02595-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
181-187
Název nakladatele
Vydavatelství ČVUT
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
4. 6. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—