Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Flipping Field and Stability in Anisotropic Magnetoresistive Sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F03%3A03094822" target="_blank" >RIV/68407700:21230/03:03094822 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Flipping Field and Stability in Anisotropic Magnetoresistive Sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Switched-capacitor flipping circuits developed for Philips KMZ51 and KMZ52 anisotropic magnetoresistance (AMR) sensors give up to 2.8 A/1 kHz current peaks. Such unusually high current deeply saturates the sensor and thus removes hysteresis, reduces noise, and increases the resistance against field shocks. These necessary strong flipping fields are predicted by the energetic model (EM), applied to the magnetization reversal in thin films. The EM parameters have been correlated to microscopic variables,revealing the field dependence of the speed of magnetization reversal. This is responsible for the value of the critical switching field (and therefore for the stability of the AMR sensor) in the easy axis directions, depending on the saturating field amplitude.

  • Název v anglickém jazyce

    Flipping Field and Stability in Anisotropic Magnetoresistive Sensors

  • Popis výsledku anglicky

    Switched-capacitor flipping circuits developed for Philips KMZ51 and KMZ52 anisotropic magnetoresistance (AMR) sensors give up to 2.8 A/1 kHz current peaks. Such unusually high current deeply saturates the sensor and thus removes hysteresis, reduces noise, and increases the resistance against field shocks. These necessary strong flipping fields are predicted by the energetic model (EM), applied to the magnetization reversal in thin films. The EM parameters have been correlated to microscopic variables,revealing the field dependence of the speed of magnetization reversal. This is responsible for the value of the critical switching field (and therefore for the stability of the AMR sensor) in the easy axis directions, depending on the saturating field amplitude.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Sensors and Actuators

  • ISSN

    0924-4247

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    106

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1-3

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    121-125

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus