Není k dispozici

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F04%3A03099484" target="_blank" >RIV/68407700:21230/04:03099484 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Fast Soft Recovery Thyristors Fabricated Using Iridium Diffusion

Popis výsledku v původním jazyce

The paper presents experimental results on fabrication of fast soft reverse recovery thyristors with axial carrier lifetime gradient in the wide base, realised using combination of iridium diffusion with low dose of electron irradiation.

Název v anglickém jazyce

Fast Soft Recovery Thyristors Fabricated Using Iridium Diffusion

Popis výsledku anglicky

The paper presents experimental results on fabrication of fast soft reverse recovery thyristors with axial carrier lifetime gradient in the wide base, realised using combination of iridium diffusion with low dose of electron irradiation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

7th International Seminar on Power Semiconductor

ISBN

80-01-03046-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

197-199

Název nakladatele

Ediční středisko ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

31. 8. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—