Není k dispozici

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F04%3A03106079" target="_blank" >RIV/68407700:21230/04:03106079 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Proton Irradiation Matrix Experiment for Electrical Parameter Optimization of PT-IGBT Power Transistors

Popis výsledku v původním jazyce

600V PT IGBT was subjected to proton irradiation in order to optimize dynamic parameters.

Název v anglickém jazyce

Proton Irradiation Matrix Experiment for Electrical Parameter Optimization of PT-IGBT Power Transistors

Popis výsledku anglicky

600V PT IGBT was subjected to proton irradiation in order to optimize dynamic parameters.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings Radiation Effects on Components and Systems

ISBN

84-930056-1-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

275-278

Název nakladatele

RADECS

Místo vydání

Madrid

Místo konání akce

Madrid

Datum konání akce

22. 9. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—