The Application of Platinum Silicide in Power Semiconductor Devices
Popis výsledku
Výzkum vrstvy silicidu platiny jako anodového kontaktu pro vysokovýkonovou diodu.
Klíčová slova
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Application of Platinum Silicide in Power Semiconductor Devices
Popis výsledku v původním jazyce
Investigation of PtSi layer as an anode contact for high-power diode.
Název v anglickém jazyce
The Application of Platinum Silicide in Power Semiconductor Devices
Popis výsledku anglicky
Investigation of PtSi layer as an anode contact for high-power diode.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of WORKSHOP 2005, Part A
ISBN
80-01-03201-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
346-347
Název nakladatele
CTU Publishing House
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
21. 3. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—
Základní informace
Druh výsledku
D - Stať ve sborníku
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2005