Optimization of GaAs MEMS structures for Microwave Power Sensor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03116591" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03116591 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optimization of GaAs MEMS Structures for Microwave Power Sensor

Popis výsledku v původním jazyce

The paper discusses an improved technique of the absorbed power measurement which is based on thermal conversion principle where absorbed radio frequency (RF) power is transformed into thermal power inside of a thermally isolated Micromechanical ThermalConverter.

Název v anglickém jazyce

Optimization of GaAs MEMS Structures for Microwave Power Sensor

Popis výsledku anglicky

The paper discusses an improved technique of the absorbed power measurement which is based on thermal conversion principle where absorbed radio frequency (RF) power is transformed into thermal power inside of a thermally isolated Micromechanical ThermalConverter.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Technical Proceedings Vol.1-3, WCM (WWW) - Nanotech 2005

ISBN

0-9767985-5-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Nano Science and Technology Institute

Místo vydání

Boston

Místo konání akce

Anaheim

Datum konání akce

8. 5. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—