Ultratenké InAs a modulované InGaA vrtstvy v GaAs připravené metodou MOVPE a studované fotomodulovanou reflexní spektroskopií

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A03121777" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:03121777 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ultrathin InAs and modulated InGaAs Layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Paper deals with ultrathin InAs and modulated InGaAs Layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy
Název v anglickém jazyce
Ultrathin InAs and modulated InGaAs Layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy
Popis výsledku anglicky
Paper deals with ultrathin InAs and modulated InGaAs Layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/IAA1010318" target="_blank" >IAA1010318: Mechanismus zářivé rekombinace v subnanometrových InAs/GaAs laserových strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku