Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami překryté pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflexní spektroskopií

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03138300" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03138300 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance

Popis výsledku v původním jazyce

Paper deals with InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance.

Název v anglickém jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance

Popis výsledku anglicky

Paper deals with InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0718" target="_blank" >GA202/06/0718: Inženýrství kvantových teček</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science and Engineering: B

ISSN

0921-5107

e-ISSN

—

Svazek periodika

147

Číslo periodika v rámci svazku

2-3

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000253798300016

EID výsledku v databázi Scopus

—