Vlastnosti amorfních uhlíkových vrstev dotovaných erbiem připravených pomocí naprašováním a PACVD

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03144890" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03144890 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60461373:22310/08:00020100

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Properties of Erbium Doped Hydrogenated Amorphous Carbon Layers Fabricated by Sputtering and Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition

Popis výsledku v původním jazyce

We report about properties of carbon layers doped with Er3+ ions fabricated by Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition (PACVD) and by sputtering on silicon or glass substrates. The structure of the samples was characterized by X-ray diffraction and their composition was determined by Rutherford Backscattering Spectroscopy and Elastic Recoil Detection Analysis. The Absorbance spectrum was taken in the spectral range from 400 nm to 600 nm. Photoluminescence spectra were obtained using two types of Ar laser (?ex=514.5 nm, lex=488 nm) and also using a semiconductor laser (?ex=980 nm). Samples fabricated by magnetron sputtering exhibited typical emission at 1530 nm when pumped at 514.5 nm.

Název v anglickém jazyce

Properties of Erbium Doped Hydrogenated Amorphous Carbon Layers Fabricated by Sputtering and Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition

Popis výsledku anglicky

We report about properties of carbon layers doped with Er3+ ions fabricated by Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition (PACVD) and by sputtering on silicon or glass substrates. The structure of the samples was characterized by X-ray diffraction and their composition was determined by Rutherford Backscattering Spectroscopy and Elastic Recoil Detection Analysis. The Absorbance spectrum was taken in the spectral range from 400 nm to 600 nm. Photoluminescence spectra were obtained using two types of Ar laser (?ex=514.5 nm, lex=488 nm) and also using a semiconductor laser (?ex=980 nm). Samples fabricated by magnetron sputtering exhibited typical emission at 1530 nm when pumped at 514.5 nm.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Acta Polytechnica

ISSN

1210-2709

e-ISSN

—

Svazek periodika

48

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—