Nízkoprofilová anténa

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147006" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147006 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Nízkoprofilová anténa

Popis výsledku v původním jazyce

Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehožspodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 ?g a jeho relativní permitivita ?r>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6?g, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 ?g, kde ?g je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu.

Název v anglickém jazyce

Low-profile antenna

Popis výsledku anglicky

Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehožspodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 ?g a jeho relativní permitivita ?r>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6?g, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 ?g, kde ?g je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu.

Druh

F_uzit - Užitný vzor

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1282" target="_blank" >GA102/08/1282: Umělé elektromagnetické struktury pro miniaturizaci vysokofrekvenčních a mikrovlnných vyzařujících a obvodových prvků</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

18825

Vydavatel

—

Název vydavatele

—

Místo vydání

—

Stát vydání

—

Datum přijetí

—

Název vlastníka

ČVUT FEL

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence